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鋰電保護(hù)芯片功能介紹

鋰電保護(hù)芯片功能介紹

發(fā)布人:Jay 發(fā)布時(shí)間:2019-07-17 瀏覽次數(shù):1890

1、鋰電池保護(hù)芯片正常狀態(tài)
當(dāng)所有電池電壓都在過充檢測電壓(Voc)和過放檢測電壓(Vod)之間,且VINI端電壓在過流檢測電壓(Vec1)和異常充電檢測電壓(Vabc)之間,則CW1055處于正常工作狀態(tài)。
2、鋰電保護(hù)芯片過充電狀態(tài)
鋰電保護(hù)芯片正常狀態(tài)下,任意一節(jié)電池電壓高于過充檢測電壓(Voc),且超過過充保護(hù)延遲時(shí)間(Toc),CO輸出高阻態(tài)關(guān)斷充電MOSFET,CW1055進(jìn)入過充保護(hù)狀態(tài)。
在過充保護(hù)延時(shí)時(shí)間(Toc)內(nèi),若所檢測的電池電壓低于過充檢測電壓(Voc)的時(shí)間超過過充重置延時(shí)(Treset),則過充累積的延遲時(shí)間(Toc)會被重置。否則,電池電壓的下降就會被認(rèn)為是無關(guān)的干擾從而被屏蔽。
3、鋰電保護(hù)芯片過充電保護(hù)解除條件:
1.所有電池電壓處于過充解除電壓(Vocr)以下且超過過充解除延遲時(shí)間(Tocr)。
2.VM端電壓大于負(fù)載檢測電壓(Vload)且所有電池電壓都低于過充檢測電壓(Voc)。
4、鋰電保護(hù)芯片過放電狀態(tài)
正常狀態(tài)下(無負(fù)載),任意一節(jié)電池電壓低于過放保護(hù)電壓(Vod),且超過過放保護(hù)延遲時(shí)間(Tod),DO輸出低電平關(guān)斷放電 MOSFET,CW1055進(jìn)入過放保護(hù)狀態(tài)。同時(shí)CO輸出高阻態(tài),關(guān)斷充電 MOSFET。
5、過放電保護(hù)解除條件:
1.VM處于休眠檢測電壓(Vslp)和充電器檢測電壓(Vcharge)之間。所有電池電壓高于過放解除電壓(Vodr)且維持超過過放解除延時(shí)(Todr)。
2.VM電壓小于充電器檢測電壓(Vcharge)且所有電池都高于過放保護(hù)電壓(Vod)。
6、鋰電保護(hù)芯片休眠狀態(tài)
CW1055進(jìn)入過放保護(hù)狀態(tài),并超過休眠延時(shí)時(shí)間(Tslp),則CW1055會進(jìn)入休眠狀態(tài)。DO保持低電平,CO保持高阻態(tài),維持充放電MOSFET的狀態(tài)。休眠狀態(tài)解除條件:VM電壓處于Vslp電壓以下。
7、鋰電保護(hù)芯片過電流狀態(tài)
CW1055內(nèi)置三級過流檢測,過流1,過流2和短路保護(hù)。
保護(hù)機(jī)制:通過VINI端檢測主回路上檢流電阻的壓降,來判斷是否進(jìn)行相應(yīng)的過流保護(hù)。
以過流1為例,放電電流跟隨外部負(fù)載變化,VINI端檢測到檢流電阻上的電壓大于過流保護(hù)閥值(Vec1)并維持超過過流保護(hù)延遲時(shí)間(Tec1),DO輸出低電平關(guān)斷放電MOSFET,同時(shí)CO輸出高阻關(guān)斷充電MOSFET。
CW1055進(jìn)入過流保護(hù)狀態(tài)。
在過流保護(hù)狀態(tài),ECR端子輸出VDD電壓驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET打開,將限流電阻連接至放電回路,電阻的阻值決定了放電恢復(fù)電流的大小。
過流解除條件:
VM端子的電壓低于VDD/2,過流保護(hù)解除。
8、鋰電保護(hù)芯片預(yù)充電
CW1055進(jìn)入過放保護(hù)(Vod)后,CO、DO端子關(guān)閉,充放電MOSFET關(guān)閉。電池充電時(shí),PRE端子驅(qū)動(dòng)外置MOSFET與VDD相接形成一個(gè)小電流的充電回路。一旦所有電池電壓超過過放保護(hù)電壓(Vod)則進(jìn)入正常充電狀態(tài),即CO=VDD、PRE=高阻態(tài)。

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9、鋰電保護(hù)芯片異常電池檢測
在預(yù)充電狀態(tài),任意一節(jié)電池低于異常電池檢測電壓(Vbad)以下時(shí),計(jì)時(shí)器開始工作,充電三分鐘后,若電池電壓仍低于異常電池檢測電壓(Vbad),CW1055認(rèn)為該電池已損壞,PRE端子關(guān)閉預(yù)充電MOSFET,終止充電。均衡功能
電池容量均衡功能用來均衡電池組中各節(jié)電池容量。
在CW1055系列產(chǎn)品中,若某一節(jié)電池電壓高于平衡啟動(dòng)電壓(Vbal),而其他電池電壓低于平衡啟動(dòng)電壓(Vbal)時(shí),均衡開啟,外置放電回路導(dǎo)通。當(dāng)開啟放電回路的電池電壓降至平衡遲滯電壓(Vbalhys)
以下時(shí),或者此節(jié)電池電壓達(dá)到過充檢測電壓(Voc),均衡關(guān)閉。
CW1055可以最多同時(shí)開啟四路均衡。所有電池都高于平衡啟動(dòng)電壓(Vbal)時(shí),均衡不會開啟。通過設(shè)置,CW1055可以選擇過充保護(hù)后均衡繼續(xù)工作。即,電池過充保護(hù)后,電池外置均衡放電回路仍然繼續(xù)工作,當(dāng)所有電池電壓均低于過充解除電壓(Vocr)時(shí),CW1055打開CO端MOSFET,電池繼續(xù)充電。如此循環(huán)直至所有電池電壓都在平衡啟動(dòng)電壓(Vbal)之上。
CW1055可選是否采用分時(shí)均衡。
分時(shí)均衡,即當(dāng)均衡啟動(dòng)時(shí),每個(gè)通道的均衡依次開啟,單通道的開啟時(shí)間8ms。若兩個(gè)電池同時(shí)均衡時(shí),每個(gè)通道各依次工作8ms。即使單通道開啟瞬間電池電壓低于均衡回復(fù)值,也需要做完8ms的放電電流后再關(guān)閉。
分時(shí)均衡可以使均衡電路熱耗散設(shè)計(jì)的利用率最大化,即增加平均均衡電流。
電池節(jié)數(shù)選擇
SEL1、SEL2是電池串聯(lián)數(shù)選擇端子,可以通過它們來選擇電池串聯(lián)數(shù)量,如下表:

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當(dāng)CW1055的VDD電壓小于0V充電開始電壓(Vov),連接充電器且充電器輸出電壓高于PRE 端 M OSFET開啟閥值時(shí),預(yù)充電MOSFET開啟,0V電池開始充電。
10、鋰電保護(hù)芯片延遲時(shí)間設(shè)置
延遲時(shí)間是指CW1055從檢測到電壓達(dá)到設(shè)定的保護(hù)閥值至CW1055驅(qū)動(dòng)CO/DO端輸出高/低電平的時(shí)間。
CW1055的過充、過放、過流1和過流2保護(hù)都可以通過外部電容來設(shè)置延遲時(shí)間。
CW1055通過內(nèi)置電流源給外部電容充電,一旦電容電壓達(dá)到設(shè)定的電壓閥值就觸發(fā)保護(hù)動(dòng)作。
不同端口輸出電流如下:
CCT=0.2uA;CDT=2uA;CIT=0.2uA延遲時(shí)間T=1.6V·/I(s)以過充電保護(hù)為例,CCT端連接0.1uF的電容,延遲時(shí)間T=(1.6*0.1u/0.2uA)s,即0.8s。
其他延遲時(shí)間計(jì)算與過充保護(hù)相同。
11、鋰電保護(hù)芯片的溫度保護(hù)
NTC電阻的阻值會隨著溫度的變化而變化,若RCOT、RDOT端檢測到的電壓達(dá)到內(nèi)部比較閥值,且維持Tcot/Tdot時(shí)間,充電過溫保護(hù)和放電過溫保護(hù)觸發(fā)。
充電過溫保護(hù)后,充電MOSFET關(guān)斷,但放電MOSFET打開;放電過溫保護(hù)后,充放電MOSFET同時(shí)關(guān)斷。

過溫閥值設(shè)置步驟
1.選擇NTC電阻;
2.確定充電過溫保護(hù)閥值,如:50℃;
3.根據(jù)NTC電阻的曲線圖,找到50℃對應(yīng)的電阻值,如35kQ;
4.使用相同阻值的正常電阻連接至RCOT引腳;
5.放電過溫保護(hù)設(shè)置使用相同的方法,但電阻需連接至RDOT引腳;
6.詳細(xì)電路請參考圖4,通過選擇電阻來設(shè)定合適的過溫保護(hù)溫度CW1055使用一個(gè)NTC來達(dá)到不同的充電過溫和放電過溫閥值設(shè)定。但此電路必須應(yīng)用于充放電異口的應(yīng)用設(shè)計(jì)。如果充放電同口,充電過溫和放電過溫只能使用一個(gè)溫度閥值。
CW1055可選低溫保護(hù)。
低溫保護(hù)只針對充電,在RCOT端進(jìn)行設(shè)置,設(shè)置方式與過溫保護(hù)一致。
若選擇低溫保護(hù),充電過溫和放電過溫只能使用一個(gè)溫度閥值。

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